Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Infineon › IKW50N65WR5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В ...

IKW50N65WR5XKSA1, Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 141Вт, TO247-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1 650 руб.

от 3 шт. — 1 450 руб.

от 10 шт. — 1 130 руб.

от 30 шт. — 925.65 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 650 руб.

Номенклатурный номер: 8003346462

Артикул: IKW50N65WR5XKSA1

Бренд: INFINEON TECHNOLOGIES AG.

Описание

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THT

Описание Транзистор: IGBT, 650В, 50А, 141Вт, TO247-3 Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности	282 W
Вид монтажа	Through Hole
Другие названия товара №	IKW50N65WR5 SP001215522
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	TRENCHSTOP
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	+/- 20 V
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	80 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	240
Серия	TRENCHSTOP 5 WR5
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	100 nA
Торговая марка	Infineon Technologies
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-247-3
Collector Emitter Saturation Voltage	1.4В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	80А
Power Dissipation	282Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	TRENCHSTOP 5
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	50 A
Maximum Gate Emitter Voltage	20V
Maximum Power Dissipation	282 W
Package Type	PG-TO247-3
Вес, г	6.21