2SA1774TLR, Транзистор: PNP; биполярный; 50В; 150мА; 150мВт; SOT416
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2420 шт., срок 7 недель
14 руб.
Кратность заказа 20 шт.
от 200 шт. —
8 руб.
от 600 шт. —
6.60 руб.
Добавить в корзину 20 шт.
на сумму 280 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP 50V 0.15A SOT-416
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 150 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 0.7 mm |
| Длина | 1.6 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 120 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 560 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.15 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.15 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 140 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | 2SA1774 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-416-3 |
| Ширина | 0.8 mm |
| Brand | ROHM Semiconductor |
| Collector- Base Voltage VCBO | -60 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -50 V |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -0.15 A |
| DC Collector/Base Gain Hfe Min | 120 |
| DC Current Gain HFE Max | 560 |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -6 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product FT | 140 MHz |
| Manufacturer | ROHM Semiconductor |
| Maximum DC Collector Current | 0.15 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-416-3 |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pd - Power Dissipation | 150 mW |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Series | 2SA1774 |
| Subcategory | Transistors |
| Transistor Polarity | PNP |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 150 mW |
| Minimum DC Current Gain | 120 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | EMT |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
