IRFR010
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
450 руб.
от 2 шт. —
400 руб.
от 10 шт. —
342 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 450 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH 50V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 8.2 |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 200@10V |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 50 |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 25000 |
Military | No |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
Pin Count | 3 |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 6.7 |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 6.7@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 250@25V |
Typical Output Capacitance - (pF) | 150 |
Вес, г | 1.438 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 326 КБ
Документация
pdf, 309 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов