NTE2939, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, Idm: 52А, 50Вт, TO20F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 6 недель
1 190 руб.
от 3 шт. —
1 050 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 190 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 13А, Idm: 52А, 50Вт, TO20F Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220F |
| Drain current | 13A |
| Drain-source voltage | 600V |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Manufacturer | NTE Electronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.32Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 50W |
| Pulsed drain current | 52A |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 3.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 67 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![2SJ162, Транзистор, Р-канал, аудио приложения [TO-3P]](https://static.chipdip.ru/lib/234/DOC000234969.jpg)
![AFT05MS006NT1, Транзистор LDMOS, High Ruggedness N-канал, 136-941 МГц, 6 Вт, 7.5 В [PLD-1.5W]](https://static.chipdip.ru/lib/801/DOC004801137.jpg)
![CI30N120SM, Транзистор N-MOSFET SiC 1200В 31А 200Вт [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
![FCA22N60N, Транзистор, SupreMOS, N-канал, 600В, 22А, 0.165Ом [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/826/DOC000826540.jpg)
![FCP16N60N, Транзистор, SupreMOST, N-канал, 600В, 16А, 0.170Ом [TO220]](https://static.chipdip.ru/lib/413/DOC005413065.jpg)
