TK11P65W.RQ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
570 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 570 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
Trans MOSFET N-CH Si 650V 11.1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 11.1 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 440@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 650 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??30 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 100000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | DTMOSIV |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 25 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 25@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 890@300V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 253 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
