H11G1M
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
270 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
210 руб.
от 10 шт. —
177 руб.
от 45 шт. —
157.50 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 540 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание Оптопара транзисторная H11G1M от ONSEMI обладает высокой производительностью и надежностью. Этот компонент с одним каналом и выходом в виде транзистора предназначен для обеспечения эффективной гальванической развязки между входными и выходными цепями. С коэффициентом передачи тока (CTR) в диапазоне от 100% до 200% при токе управления 10mA, он гарантирует высокую точность сигналов. Максимальное выходное напряжение составляет 100В, а напряжение изоляции достигает 4.17кВ, что обеспечивает отличную защиту в различных электронных устройствах. Упакованный в корпус DIP6 для монтажа THT, H11G1M подходит для широкого круга областей применения, включая промышленную автоматизацию, телекоммуникационное оборудование и системы безопасности. Продукт H11G1M сочетает в себе высокое качество и долговечность, что делает его незаменимым компонентом в вашем проекте. Характеристики Категория | Оптопара |
Тип | транзисторная |
CTR@If | 100-200%@10mA |
Вид выхода | транзистор |
Кол-во каналов | 1 |
Выходное напряжение макс., В | 100 |
Напряжение изоляции, кВ | 4.17 |
Монтаж | THT |
Корпус | DIP6 |
Технические параметры
Current Transfer Ratio | 1000(%) |
Forward Current | 60(mA) |
Forward Voltage | 1.5(V) |
Input Type | DC |
Isolation Voltage | 5250(V) |
Maximum Forward Current | 60(mA) |
Mounting | Through Hole |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -40C to 100C |
Operating Temperature Classification | INDUSTRIALC |
Output Device | Darlington With Base |
Output Type | DC |
Package Type | PDIP W |
Packaging | Bag |
Pin Count | 6 |
Power Dissipation | 0.26(W) |
Rad Hardened | No |
Reverse Breakdown Voltage | 6(V) |
Standard | UL |
Automotive | No |
Current Transfer Ratio Test Current (mA) | 10 |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Through Hole |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (mV) | 1000 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 100 |
Maximum Forward Current (mA) | 60 |
Maximum Forward Voltage (V) | 1.5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 100 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 260 |
Maximum Reverse Voltage (V) | 6 |
Minimum Current Transfer Ratio (%) | 1000 |
Minimum Isolation Voltage (Vrms) | 4170 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -40 |
Number of Channels per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
PPAP | No |
Standard Package Name | DIP |
Supplier Package | PDIP |
Typical Forward Voltage (V) | 1.3 |
Brand: | onsemi/Fairchild |
Configuration: | 1 Channel |
Current Transfer Ratio - Min: | 1000% |
Current Transfer Ratio: | 1000% |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
If - Forward Current: | 60 mA |
Isolation Voltage: | 4170 Vrms |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage: | 1 V |
Maximum Collector Emitter Voltage: | 100 V |
Maximum Operating Temperature: | +100 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Output Type: | Photodarlington |
Package / Case: | PDIP-6 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 290 mW |
Product Category: | Transistor Output Optocouplers |
Product Type: | Transistor Output Optocouplers |
Series: | H11G1M |
Subcategory: | Optocouplers |
Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage: | 6 V |
Вес, г | 1.12 |