STD12NF06L-1, Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 12А, 30Вт, IPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 шт., срок 7 недель
380 руб.
от 5 шт. —
150 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™ II, полевой, 60В, 12А, 30Вт, IPAK Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | IPAK |
| Drain current | 12A |
| Drain-source voltage | 60V |
| Gate-source voltage | ±16V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 90mΩ |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 30W |
| Technology | STripFET™ II |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.06Ом |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | StripFET II |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 12А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Рассеиваемая Мощность | 42.8Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.06Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Rise Time: | 35 ns |
| Series: | STD12NF06L-1 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
