IHW40N65R5XKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Описание
Электроэлемент
IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247, DC Collector Current:80A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.35V, Power Dissipation Pd:230W, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:650V, Transistor Case Style:TO-247, No. of Pins:3Pins, , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
Current - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
Gate Charge | 193nC |
IGBT Type | - |
Input Type | Standard |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part Status | Active |
Power - Max | 230W |
Reverse Recovery Time (trr) | 90ns |
Series | TrenchStopВ® |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Switching Energy | 630ВµJ(on), 140ВµJ(off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 30ns/258ns |
Test Condition | 400V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 40A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Channel Type | N |
Energy Rating | 1.91mJ |
Gate Capacitance | 4740pF |
Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 230 W |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IHW40N65R5XKSA1
pdf, 2127 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов