MCH6001-TL-E
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
140 руб.
от 10 шт. —
116 руб.
от 26 шт. —
101.43 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
RF TRANS, NPN, 8V, 0.15A, 150DEG C, 0.6W ROHS COMPLIANT: YES
Технические параметры
Brand | ON Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO | 15 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 8 V |
Configuration | Dual |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 60 |
DC Current Gain hFE Max | 150 |
Emitter- Base Voltage VEBO | 2 V |
Factory Pack Quantity | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT | 16 GHz |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Maximum DC Collector Current | 150 mA |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-363-6 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 600 mW |
Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
RoHS | Details |
Series | MCH6001 |
Transistor Polarity | NPN |
Unit Weight | 0.000265 oz |
Collector Emitter Voltage Max | 8В |
Continuous Collector Current | 150мА |
DC Current Gain hFE Min | 60hFE |
DC Ток Коллектора | 150мА |
DC Усиление Тока hFE | 60hFE |
Power Dissipation | 600мВт |
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Корпус РЧ Транзистора | SOT-363 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 8В |
Полярность Транзистора | NPN |
Рассеиваемая Мощность | 600мВт |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-363 |
Частота Перехода ft | 16ГГц |
Техническая документация
Datasheet MCH6001-TL-E
pdf, 486 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары