BFP640FESDH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
130 руб.
от 10 шт. —
108 руб.
от 100 шт. —
88.63 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
Электроэлемент
The BFP640FESD is a Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) NPN Heterojunction wideband Bipolar RF Transistor (HBT) in a plastic thin small flat 4-pin dual emitter package with visible leads, TSFP-4-1, RoHS
Технические параметры
| Collector Current (DC) | 0.05(A) |
| Collector-Base Voltage | 4.8(V) |
| Configuration | Single Dual Emitter |
| DC Current Gain | 110 |
| Maximum Transition Frequency | 46000(TYP) |
| Noise Figure (Max) | 1.7(MIN)(dB) |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Package Type | TSFP |
| Packaging | Tape and Reel |
| Power Dissipation | 0.2(W) |
| Power Gain | 30.5(dB) |
| Type | NPN |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Infineon_BFP640FESD_DS_v02_00_EN-2309240
pdf, 647 КБ
Документация
pdf, 1637 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
