Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › PZTA28

PZTA28

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 120 руб.

от 10 шт. — 93 руб.

от 60 шт. — 74.75 руб.

Добавить в корзину 2 шт. на сумму 340 руб.

Номенклатурный номер: 8003853682

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Электроэлемент

The NPN Darlington Transistor is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. SOT 223 4L package.

Технические параметры

Collector Current (DC)	0.8(A)
Collector-Base Voltage	80(V)
Configuration	Single
DC Current Gain	10000
Emitter-Base Voltage	12(V)
Maximum Collector Cut-off Current	0.1
Mounting	Surface Mount
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-55C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Package Type	SOT-223
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	3+Tab
Polarity	NPN
Power Dissipation	1(W)
Rad Hardened	No
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.6 mm
Длина	6.5 mm
Другие названия товара №	PZTA28_NL
Категория продукта	Транзисторы Дарлингтона
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	10000
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.8 A
Максимальный ток отсечки коллектора	0.1 uA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	12 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Размер фабричной упаковки	4000
Серия	PZTA28
Тип продукта	Darlington Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Упаковка / блок	SOT-223
Ширина	3.56 mm
Maximum Base Emitter Saturation Voltage	2 V
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage	1.5 V
Maximum Collector Emitter Voltage	80 V
Maximum Continuous Collector Current	800 mA
Maximum Emitter Base Voltage	12 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1 W
Minimum DC Current Gain	10000
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	NPN
Width	3.56mm