SI7461DP-T1-GE3, Транзистор P-МОП, полевой, 60В 14,4A 5,4Вт 0,0145Ом PoВтeОмPakSO8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

710 руб.

от 3 шт. — 610 руб.

от 10 шт. — 479 руб.

от 25 шт. — 409.37 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 710 руб.

Номенклатурный номер: 8003894875

Артикул: SI7461DP-T1-GE3

Описание Транзистор P-МОП, полевой, 60В 14,4A 5,4Вт 0,0145Ом PoВтeОмPakSO8

Brand:	Vishay Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	90 ns
Forward Transconductance - Min:	31 S
Id - Continuous Drain Current:	14.4 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PowerPAK-SO-8
Part # Aliases:	SI7461DP-GE3
Pd - Power Dissipation:	5.4 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	121 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	14.5 mOhms
Rise Time:	20 ns
Series:	SI7
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	P-Channel
Transistor Type:	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	205 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V
Вес, г	0.306