IXTP3N120, Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
820 руб.
от 4 шт. —
740 руб.
от 7 шт. —
688 руб.
от 14 шт. —
648 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 820 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 1.2кВ 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Технические параметры
| Корпус | TO-220AB | |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 4.5Ω@10V, 1.5A | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.35nF@25V | |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Power Dissipation (Pd) | 200W | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 42nC@10V | |
| Type | N Channel | |
| Case | TO220AB | |
| Drain current | 3A | |
| Drain-source voltage | 1.2kV | |
| Gate charge | 42nC | |
| Gate-source voltage | ±20V | |
| Kind of channel | enhanced | |
| Kind of package | tube | |
| Manufacturer | IXYS | |
| Mounting | THT | |
| On-state resistance | 4.5Ω | |
| Polarisation | unipolar | |
| Power dissipation | 200W | |
| Reverse recovery time | 700ns | |
| Type of transistor | N-MOSFET | |
| Вес, г | 4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 175 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
