2SAR573D3TL1, Trans GP BJT PNP 50V 3A 10000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1700 шт., срок 6-8 недель
93 руб.
Мин. кол-во для заказа 340 шт.
Добавить в корзину 340 шт.
на сумму 31 620 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Биполярные транзисторы - BJT PNP -50V -3A 10W Pwr trnstr Low VCE
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 10 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Другие названия товара № | 2SAR573D3 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 180 |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 450 |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 3 A |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 200 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 3 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | PNP |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-252 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet 2SAR573D3TL1
pdf, 1677 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
