IPA60R120C7XKSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 7А, Idm: 66А, 32Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 860 руб.
от 3 шт. —
1 480 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 860 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\Unipolar transistors\N channel transistors
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 7А, Idm: 66А, 32Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Drain current | 7A |
| Drain-source voltage | 650V |
| Gate charge | 34nC |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.12Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 32W |
| Pulsed drain current | 66A |
| Technology | CoolMOS™ C7 |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 2.18 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
