IXGT10N170A
4 шт. со склада г.Москва, срок 10-11 дней
4 030 руб.
от 2 шт. —
3 830 руб.
от 4 шт. —
3 690 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 030 руб.
Описание
Электроэлемент
Trans IGBT Chip N-CH 1700V 10A 110000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Технические параметры
Brand | IXYS |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 1.7 kV |
Collector-Emitter Saturation Voltage | 4.5 V |
Configuration | Single |
Continuous Collector Current | 10 A |
Continuous Collector Current at 25 C | 10 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 20 A |
Factory Pack Quantity | 30 |
Gate-Emitter Leakage Current | 100 nA |
Height | 5.1 mm |
Length | 16.05 mm |
Manufacturer | IXYS |
Maximum Gate Emitter Voltage | +/-20 V |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Operating Temperature Range | -55 C to+150 C |
Package / Case | TO-268-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 140 W |
Product Category | IGBT Transistors |
RoHS | Details |
Series | IXGT10N170 |
Technology | Si |
Unit Weight | 0.158733 oz |
Width | 14 mm |
Вес, г | 5.067 |
Техническая документация
Datasheet IXGH10N170A
pdf, 612 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.