BST82.215
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
20 руб.
Мин. кол-во для заказа 178 шт.
от 404 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 178 шт.
на сумму 3 560 руб.
Альтернативные предложения7
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 0,19А, 830мВт, SOT23
Технические параметры
| Корпус | to236 | |
| кол-во в упаковке | 3000 | |
| Id - непрерывный ток утечки | 190 mA | |
| Pd - рассеивание мощности | 830 mW | |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 10 Ohms | |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V | |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V | |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V | |
| Вид монтажа | SMD/SMT | |
| Высота | 1 mm | |
| Длина | 3 mm | |
| Другие названия товара № | 933733110215 | |
| Канальный режим | Enhancement | |
| Категория продукта | МОП-транзистор | |
| Количество каналов | 1 Channel | |
| Конфигурация | Single | |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | |
| Минимальная рабочая температура | 65 C | |
| Подкатегория | MOSFETs | |
| Полярность транзистора | N-Channel | |
| Продукт | MOSFET Small Signal | |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | |
| Технология | Si | |
| Тип продукта | MOSFET | |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET | |
| Торговая марка | Nexperia | |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 | |
| Ширина | 1.4 mm | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current | 190 mA | |
| Maximum Drain Source Resistance | 10 Ω | |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V | |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW | |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V | |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Pin Count | 3 | |
| Transistor Configuration | Single | |
| Transistor Material | Si | |
| Width | 1.4mm | |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
