IXBA16N170AHV, Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 320 руб.
от 3 шт. —
6 750 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 320 руб.
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, BiMOSFET™, 1,7кВ, 10А, 150Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 1.7kV |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate charge | 65nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 150W |
| Pulsed collector current | 40A |
| Technology | BiMOSFET™ |
| Turn-off time | 370ns |
| Turn-on time | 43ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.53 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 171 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
