IRF830AS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

640 руб.

от 2 шт. — 570 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 640 руб.

Номенклатурный номер: 8004329836

Электроэлемент

N-Channel MOSFET, 5 A, 500 V, 3-Pin D2PAK Vishay IRF830ASPBF

Transistor Polarity	N Channel; Continuous Drain Current Id
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	5 A
Maximum Drain Source Resistance	1.4 Ω
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	3.1 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	D2PAK(TO-263)
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	24 nC @ 10 V
Width	9.65mm
Вес, кг	95.2