SIHU4N80AE-GE3, E-Series Power Mosfet, Single - N-Channel, 800V, 4.1A, TO-251
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
440 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 440 руб.
Описание
Решения для промышленного электропитания
Vishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Vishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 20 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 1.5 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.3 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TO-251-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.27 Ohms |
| Rise Time: | 7 ns |
| Series: | E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.25Ом |
| Power Dissipation | 62.5Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | E |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Непрерывный Ток Стока | 4.1А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 62.5Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.25Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-251 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
