CY7C109D-10VXI
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 180 руб.
от 2 шт. —
1 060 руб.
от 5 шт. —
969 руб.
от 10 шт. —
926.25 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 180 руб.
Описание
Электроэлемент
Описание IC: SRAM memory; 128kx8bit; 4.5?5.5V; 10ns; SOJ32; parallel Характеристики | Категория | Микросхема |
| Тип | памяти |
| Вид | SRAM |
Технические параметры
| Memory Size | 1Mbit; SRAM Memory Configuration |
| Access Time: | 10 ns |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: | 1150 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 1 Mbit |
| Memory Type: | Volatile |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 128 k x 8 |
| Package/Case: | SOJ-32 |
| Packaging: | Tube |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 80 mA |
| Supply Voltage - Max: | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min: | 4.5 V |
| Type: | Asynchronous |
| Вес, г | 7.64 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
