IRFB4510PBF, Транзистор полевой N-канальный 100В 62A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

81 руб.

Мин. кол-во для заказа 6 шт.

от 12 шт. — 73 руб.

от 24 шт. — 66 руб.

от 50 шт. — 63 руб.

Добавить в корзину 6 шт. на сумму 486 руб.

Номенклатурный номер: 8004520021

Артикул: IRFB4510PBF

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

Транзистор полевой N-канальный 100В 62A

Корпус	TO-220AB
Brand	Infineon Technologies
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single
Factory Pack Quantity	550
Fall Time	28 ns
Forward Transconductance - Min	100 S
Height	15.65 mm
Id - Continuous Drain Current	62 A
Length	10 mm
Manufacturer	Infineon
Maximum Operating Temperature	+175 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	Through Hole
Number of Channels	1 Channel
Package / Case	TO-220-3
Packaging	Tube
Pd - Power Dissipation	140 W
Product Category	MOSFET
Qg - Gate Charge	58 nC
Rds On - Drain-Source Resistance	10.7 mOhms
Rise Time	32 ns
RoHS	Details
Technology	Si
Tradename	StrongIRFET
Transistor Polarity	N-Channel
Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	28 ns
Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Vgs - Gate-Source Voltage	20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Width	4.4 mm
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	62 A
Maximum Drain Source Voltage	100 V
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-220AB
Вес, г	2.8