APT15GP60BDQ1G, IGBT Transistors IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 15 A TO-247

1 610 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 610 руб.
Номенклатурный номер: 8004581565
Артикул: APT15GP60BDQ1G

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors

Технические параметры

Brand: Microchip Technology
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.2 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 56 A
Factory Pack Quantity: 1
Manufacturer: Microchip
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 250 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet
pdf, 255 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов