CE3514M4, RF JFET Transistors 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
410 руб.
от 10 шт. —
320 руб.
от 100 шт. —
235 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 410 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\RF Transistors
Технические параметры
| Brand: | CEL |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Forward Transconductance - Min: | 54 mS |
| Gain: | 12.2 dB |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -750 mV |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 mA |
| Manufacturer: | CEL |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure: | 0.42 dB |
| Operating Frequency: | 12 GHz |
| Package / Case: | minimold-4 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 125 mW |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaAs |
| Transistor Type: | pHEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 4 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -3 V |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 721 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
