DMN2025UFDF-7, MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

DMN2025UFDF-7, MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт.95 руб.
от 100 шт.50 руб.
от 1000 шт.32.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 130 руб.
Номенклатурный номер: 8004613375
Артикул: DMN2025UFDF-7
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 6.5 A
Pd - рассеивание мощности 1.6 W
Qg - заряд затвора 12.3 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 25 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
Vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 500 mV
Вид монтажа SMD/SMT
Время нарастания 5.4 ns
Время спада 9.3 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 3000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 17.6 ns
Типичное время задержки при включении 3.4 ns
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок U-DFN2020-6
Вес, г 562

Техническая документация

Datasheet
pdf, 424 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов