DMN2025UFDF-7, MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
130 руб.
от 10 шт. —
95 руб.
от 100 шт. —
50 руб.
от 1000 шт. —
32.14 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 130 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор МОП-транзистор BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 6.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 1.6 W |
Qg - заряд затвора | 12.3 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 25 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V, + 10 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 500 mV |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 5.4 ns |
Время спада | 9.3 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 17.6 ns |
Типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | U-DFN2020-6 |
Вес, г | 562 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 424 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов