DMN6022SSD-13, MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
230 руб.
от 10 шт. —
190 руб.
от 100 шт. —
124 руб.
от 500 шт. —
93.45 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 230 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 361 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Устройства управления источниками питания»
Типы корпусов импортных микросхем
