TP2635N3-G, MOSFET 350V 15Ohm

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

590 руб.

от 25 шт. — 400 руб.

от 100 шт. — 367 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 590 руб.

Номенклатурный номер: 8004628628

Артикул: TP2635N3-G

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 350V 15Ohm

Id - непрерывный ток утечки	180 mA
Pd - рассеивание мощности	1 W
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	15 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	350 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	15 ns
Время спада	40 ns
Высота	5.33 mm
Длина	5.21 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Технология	Si
Тип	FET
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	60 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Microchip Technology
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-92-3
Ширина	4.19 mm
Вес, г	0.4536