AIKW30N60CTXKSA1, IGBT Transistors DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 880 руб.
от 10 шт. —
1 600 руб.
от 25 шт. —
1 460 руб.
от 100 шт. —
1 172.21 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 880 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 600В, 30А, 187Вт, TO247-3 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | AIKW30N60CT SP001346786 |
| Pd - Power Dissipation: | 187 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | 600V TRENCHSTOP |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Power Dissipation | 187 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 6.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
