AIKW50N65DH5XKSA1, IGBT Transistors DISCRETES
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 780 руб.
от 10 шт. —
2 270 руб.
от 25 шт. —
1 920 руб.
от 100 шт. —
1 507.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 780 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Описание Транзистор: IGBT, 650В, 53,5А, 136Вт, TO247-3, Серия: H5 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.66 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Packaging: | Tube |
| Part # Aliases: | AIKW50N65DH5 SP001346764 |
| Pd - Power Dissipation: | 270 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | TRENCHSTOP 5 H5 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.66В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 80А |
| Power Dissipation | 270Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | TRENCHSTOP 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 6.05 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
