FF600R07ME4BPSA1, IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
44 520 руб.
от 10 шт. —
37 210 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 44 520 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
EconoDUAL™ 3 IGBT ModulesInfineon Technologies EconoDUAL™ 3 IGBT Modules are a solution for many applications requiring reliable, cost-effective power electronics. The Infineon Technologies EconoDUAL 3 can support current ranges from 100A to 900A at various voltages, including 600V/650V/1200V, and 1700V. The device is equipped with state-of-the-art IGBT7 or IGBT4 technologies. The modules offer exceptional power density and cycling capability, and the symmetrical design allows for optimized current sharing between IGBT half bridges. This feature makes them ideal for parallel operation. EconoDUAL 3 is a versatile and efficient option for electric vehicles, renewable energy, or general-purpose drives.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 600 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FF600R07ME4 SP000840484 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-E4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Tradename: | TRENCHSTOP EconoDUAL PressFIT |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 600А |
| DC Ток Коллектора | 600А |
| Выводы БТИЗ | Stud |
| Конфигурация БТИЗ | Dual |
| Линейка Продукции | EconoDUAL 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150 C |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 650В |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Maximum Power Dissipation | 20 mW |
| Package Type | AG-ECONOD-411 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
