FP10R12W1T7B11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD

Фото 1/3 FP10R12W1T7B11BOMA1, IGBT Modules EASY STANDARD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 920 руб.
от 10 шт.9 890 руб.
от 24 шт.7 670 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 10 920 руб.
Номенклатурный номер: 8004635412
Артикул: FP10R12W1T7B11BOMA1

Описание

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Вид монтажа: Screw Mount
Другие названия товара №: FP10R12W1T7_B11 SP001655200
Конфигурация: PIM
Максимальная рабочая температура: + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: - 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 10 A
Подкатегория: IGBTs
Продукт: IGBT Silicon Modules
Производитель: Infineon
Размер фабричной упаковки: 24
Серия: Trenchstop IGBT7
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: Infineon Technologies
Упаковка / блок: AG-EASY1B-2
Упаковка: Tray
Base Product Number FP10R12 ->
Configuration Three Phase Inverter
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Current - Collector Cutoff (Max) 4.5ВµA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Three Phase Bridge Rectifier
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1890pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 75В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPIMв„ў 1B ->
Supplier Device Package AG-EASY1B-2
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.6V @ 15V, 10A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ PIM Three Phase Input Rectifier
Линейка Продукции EasyPIM
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Максимальная Температура Перехода Tj 175°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 7(Trench/Field Stop)
Вес, г 24

Техническая документация

Datasheet
pdf, 922 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов