FR900R12IP4DBPSA1, IGBT Modules PP IHM I
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
269 000 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 269 000 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) PP IHM I XHP 1 7KV
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 20 mW |
| Вид монтажа | Chassis Mount |
| Другие названия товара № | FR900R12IP4D SP000905656 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP PrimePACK |
| Конфигурация | Full Bridge |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.7 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 900 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 2 |
| Серия | Trenchstop IGBT4 - P4 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | Module |
| Base Product Number | FR900R12 -> |
| Configuration | Dual Brake Chopper |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 900A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 54nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 20mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | PrimePACKв„ў3+ -> |
| Supplier Device Package | AG-PRIME3-1 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.05V @ 15V, 900A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.7В |
| Collector Emitter Voltage Max | 1.2кВ |
| Continuous Collector Current | 900А |
| DC Ток Коллектора | 900А |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Dual, Brake-Chopper |
| Линейка Продукции | PrimePACK 3 |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 1.2кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 1.7В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, кг | 1.4 |
Техническая документация
Datasheet FR900R12IP4DBPSA1
pdf, 831 КБ
Datasheet FR900R12IP4DBPSA1
pdf, 788 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
