IKD06N60RF, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

IKD06N60RF, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
370 руб.
от 10 шт.290 руб.
от 100 шт.210 руб.
от 500 шт.165.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 370 руб.
Номенклатурный номер: 8004635474
Артикул: IKD06N60RF

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 100 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 2.41 mm
Длина 6.73 mm
Другие названия товара № IKD6N6RFXT SP000939364 IKD06N60RFATMA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 12 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 2500
Серия Trenchstop RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Упаковка / блок TO-252-3
Ширина 6.22 mm
Вес, г 0.333

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1731 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов