IKD06N60RF, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
210 руб.
от 500 шт. —
165.92 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 100 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.41 mm |
Длина | 6.73 mm |
Другие названия товара № | IKD6N6RFXT SP000939364 IKD06N60RFATMA1 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Коммерческое обозначение | TRENCHSTOP |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.2 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 12 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | Trenchstop RC |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Вес, г | 0.333 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1731 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов