IKW75N60H3FKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 360 руб.
от 25 шт. —
1 790 руб.
от 100 шт. —
1 400 руб.
от 480 шт. —
1 228.31 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 360 руб.
Описание
The Infineon high speed 600 V, 75 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Collector current | 75A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 470nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 428W |
| Pulsed collector current | 225A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | TRENCHSTOP™ |
| Turn-off time | 332ns |
| Turn-on time | 85ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Maximum Power Dissipation | 428 W |
| Package Type | PG-TO247-3 |
| Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
