IXA70I1200NA, IGBT Modules XPT Single IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 380 руб.
от 10 шт. —
7 350 руб.
от 20 шт. —
6 810 руб.
от 50 шт. —
6 113.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 9 380 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT)
Описание Модуль: IGBT, одиночный транзистор, Urmax: 1,2кВ, Ic: 65А, SOT227B Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 350 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Коммерческое обозначение | XPT |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.8 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 100 A |
| Подкатегория | IGBTs |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Размер фабричной упаковки | 10 |
| Серия | IXA70I1200NA |
| Технология | Si |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Ток утечки затвор-эмиттер | 500 nA |
| Торговая марка | IXYS |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | SOT-227B-4 |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 1200 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +125 °C |
| Maximum Power Dissipation | 350 W |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-227B |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Configuration | Single |
| Case | SOT227B |
| Collector current | 65A |
| Electrical mounting | screw |
| Features of semiconductor devices | high voltage |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Manufacturer | IXYS |
| Max. off-state voltage | 1.2kV |
| Mechanical mounting | screw |
| Power dissipation | 350W |
| Pulsed collector current | 150A |
| Semiconductor structure | single transistor |
| Technology | XPT™ |
| Type of module | IGBT |
| Вес, г | 30 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
