IXFX20N120P, MOSFET 26 Amps 1200V 1 Rds
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 250 руб.
от 10 шт. —
6 090 руб.
от 30 шт. —
4 980 руб.
от 60 шт. —
4 894.43 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 250 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Описание Транзистор: N-MOSFET, Polar™, полевой, 1,2кВ, 20А, 780Вт, PLUS247™ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Brand: | IXYS |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Fall Time: | 70 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
Manufacturer: | IXYS |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 780 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 193 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 570 mOhms |
Rise Time: | 45 ns |
Series: | IXFX20N120 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | HiPerFET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2034 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары