RCX120N20, MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V
![RCX120N20, MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
455 шт., срок 6-8 недель
610 руб.
от 10 шт. —
480 руб.
от 100 шт. —
362 руб.
от 250 шт. —
311.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 610 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор DRVE NCH МОП-транзистор 10V
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
Pd - рассеивание мощности | 40 W |
Qg - заряд затвора | 15 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 250 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.25 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 33 ns |
Время спада | 11 ns |
Другие названия товара № | RCX120N20 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | RCX120N20 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 27 ns |
Типичное время задержки при включении | 20 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RCX120N20
pdf, 441 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары