RCX120N20, MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V

RCX120N20, MOSFET DRVE NCH MOSFET 10V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
455 шт., срок 6-8 недель
610 руб.
от 10 шт.480 руб.
от 100 шт.362 руб.
от 250 шт.311.53 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 610 руб.
Номенклатурный номер: 8004638619
Артикул: RCX120N20
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор DRVE NCH МОП-транзистор 10V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 40 W
Qg - заряд затвора 15 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 250 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.25 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 33 ns
Время спада 11 ns
Другие названия товара № RCX120N20
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 500
Серия RCX120N20
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 27 ns
Типичное время задержки при включении 20 ns
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-220FP-3
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RCX120N20
pdf, 441 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.