RGCL60TS60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and

RGCL60TS60DGC11, IGBT Transistors ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
289 шт., срок 7-9 недель
1 400 руб.
от 10 шт.1 060 руб.
от 25 шт.846 руб.
от 100 шт.775.58 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 400 руб.
Номенклатурный номер: 8004638633
Артикул: RGCL60TS60DGC11
Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 111 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № RGCL60TS60D
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-247-3
Base Product Number RGCL60 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 48A
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
ECCN EAR99
Gate Charge 68nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Bulk
Package / Case TO-247-3
Power - Max 111W
Reverse Recovery Time (trr) 58ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247N
Switching Energy 770ВµJ (on), 1.11mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 44ns/186ns
Test Condition 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGCL60TS60DGC11
pdf, 643 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.