RGT50NL65DGTL, IGBT Transistors RGT50NL65D is a Field Stop Trench IGBT with low collector - emitter saturation voltage, suitable for General
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1125 шт., срок 6-8 недель
1 010 руб.
от 10 шт. —
800 руб.
от 25 шт. —
738 руб.
от 100 шт. —
574.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 010 руб.
Альтернативные предложения3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Field Stop Trench IGBTsROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.
Технические параметры
| Brand: | ROHM Semiconductor |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.65 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 48 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 200 nA |
| Manufacturer: | ROHM Semiconductor |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | TO-263L-3 |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Part # Aliases: | RGT50NL65D |
| Pd - Power Dissipation: | 194 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
