RGTH00TS65GC11, IGBT Transistors 650V 50A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
435 шт., срок 6-8 недель
1 350 руб.
от 10 шт. —
1 050 руб.
от 25 шт. —
943 руб.
от 100 шт. —
767.09 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 350 руб.
Описание
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности: | 277 W |
| Вид монтажа: | Through Hole |
| Диапазон рабочих температур: | - 40 C to + 175 C |
| Другие названия товара №: | RGTH00TS65 |
| Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.6 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 85 A |
| Непрерывный коллекторный ток: | 50 A |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 85 A |
| Подкатегория: | IGBTs |
| Производитель: | ROHM Semiconductor |
| Размер фабричной упаковки: | 450 |
| Серия: | RGTH00TS65 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | IGBT Transistors |
| Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 200 nA |
| Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок: | TO-247-3 |
| Упаковка: | Tube |
| Base Product Number | RGTH00 -> |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 85A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| ECCN | EAR99 |
| Gate Charge | 94nC |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input Type | Standard |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Power - Max | 277W |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
| Supplier Device Package | TO-247N |
| Td (on/off) @ 25В°C | 39ns/143ns |
| Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet RGTH00TS65GC11
pdf, 1097 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
