Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › Rohm › RGTV00TK65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A ...

RGTV00TK65DGC11, IGBT Transistors 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

456 шт., срок 6-8 недель

2 090 руб.

от 10 шт. — 1 700 руб.

от 25 шт. — 1 610 руб.

от 100 шт. — 1 319.30 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004638641

Артикул: RGTV00TK65DGC11

Бренд: Rohm

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Траншейные IGBT с полевым затвором

ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности:	94 W
Вид монтажа:	Through Hole
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	30 V
Минимальная рабочая температура:	-40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	45 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	45 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	ROHM Semiconductor
Размер фабричной упаковки:	1
Технология:	Si
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	200 nA
Торговая марка:	ROHM Semiconductor
Упаковка / блок:	TO-3PFM
Упаковка:	Tube
Вес, г	1