Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Toshiba › RN1908,LF(CT, Digital Transistors NPN x 2 ...

RN1908,LF(CT, Digital Transistors NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8814 шт., срок 7-9 недель

76 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 76 руб.

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004639048

Артикул: RN1908,LF(CT

Бренд: Toshiba

Описание

Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения NPN x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности:	200 mW
Вид монтажа:	SMD/SMT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe):	80
Конфигурация:	Dual
Максимальная рабочая температура:	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:	100 mA
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	50 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	7 V
Подкатегория:	Transistors
Полярность транзистора:	NPN
Производитель:	Toshiba
Размер фабричной упаковки:	3000
Серия:	RN1908
Тип продукта:	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Торговая марка:	Toshiba
Упаковка / блок:	US-6
Вес, г	0.0068