SSM6J50TU,LF, MOSFET LowON Res MOSFET ID=-2.5A VDSS=-20V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3782 шт., срок 6-8 недель
110 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор LowON Res МОП-транзистор ID=-2.5A VDSS=-20V
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 500 mW |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 64 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.1 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SSM6J50TU |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 51 ns |
| Типичное время задержки при включении | 15 ns |
| Торговая марка | Toshiba |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | UF-6 |
| Base Product Number | 2SJ201 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 2.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2V, 4.5V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150В°C |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Package / Case | 6-SMD, Flat Leads |
| Power Dissipation (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| RoHS Status | RoHS Compliant |
| Series | U-MOSIV -> |
| Supplier Device Package | UF6 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 200ВµA |
| Вес, г | 0.007 |
Техническая документация
Datasheet SSM6J50TU,LF
pdf, 277 КБ
Datasheet SSM6J50TU.LF
pdf, 273 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
