Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Nexperia › BUK9D23-40EX, MOSFET BUK9D23-40E/ SOT1220/SOT1220

BUK9D23-40EX, MOSFET BUK9D23-40E/ SOT1220/SOT1220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

8159 шт., срок 6-8 недель

110 руб.

от 10 шт. — 87 руб.

от 100 шт. — 60 руб.

от 500 шт. — 45.79 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 110 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8004639814

Артикул: BUK9D23-40EX

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор BUK9D23-40E/SOT1220 SOT1220

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	19 A
Pd - рассеивание мощности	15 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	23 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	40 V
Vgs - напряжение затвор-исток	15 V, + 15 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.4 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	6 ns
Время спада	4 ns
Другие названия товара №	934660213115
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Квалификация	AEC-Q101
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	39 S
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	12 ns
Типичное время задержки при включении	2 ns
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	DFN-2020-6
Base Product Number	BUK9D23 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	637pF @ 20V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	6-UDFN Exposed Pad
Power Dissipation (Max)	15W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 8A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
Series	Automotive, AEC-Q101 ->
Supplier Device Package	DFN2020MD-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±15V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.018Ом
Power Dissipation	15Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	40В
Непрерывный Ток Стока	19А
Пороговое Напряжение Vgs	1.7В
Рассеиваемая Мощность	15Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.018Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности	AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-1220
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	188