Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › Vishay › SI2343DS-T1-E3, MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 ...

SI2343DS-T1-E3, MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

от 10 шт. — 140 руб.

от 100 шт. — 103 руб.

от 500 шт. — 88.84 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 8004640992

Артикул: SI2343DS-T1-E3

Бренд: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	3.1 A
Pd - рассеивание мощности	0.75 W
Qg - заряд затвора	14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	53 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
Vgs - напряжение затвор-исток	10 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	15 ns
Время спада	20 ns
Другие названия товара №	SI2343DS-E3
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	10 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	P-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 P-Channel
Типичное время задержки выключения	31 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	SOT-23-3
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	P
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Gull-wing
Maximum Continuous Drain Current (A)	3.1
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	53 10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Gate Threshold Voltage (V)	3
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1250
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	NRND
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-23
Typical Fall Time (ns)	20
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	14
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	14 10V
Typical Gate to Drain Charge (nC)	3.7
Typical Gate to Source Charge (nC)	1.9
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	540 15V
Typical Output Capacitance (pF)	131
Typical Rise Time (ns)	15
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	31
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10
Вес, г	0.008