SI5458DU-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK ChipFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

170 руб.

от 10 шт. — 150 руб.

от 100 шт. — 93 руб.

от 500 шт. — 75.01 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.

Номенклатурный номер: 8004641011

Артикул: SI5458DU-T1-GE3

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Brand:	Vishay/Siliconix
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Id - Continuous Drain Current:	6 A
Manufacturer:	Vishay
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	ChipFET-8
Part # Aliases:	SI5458DU-GE3
Pd - Power Dissipation:	10.4 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	9 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	41 mOhms
Series:	SI54
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	TrenchFET
Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V
Вес, г	0.08