SI7634BDP-T1-GE3, MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

510 руб.

от 10 шт. — 400 руб.

от 100 шт. — 302 руб.

от 250 шт. — 260.42 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 510 руб.

Номенклатурный номер: 8004641020

Артикул: SI7634BDP-T1-GE3

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор

МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.04 mm
Длина	6.15 mm
Другие названия товара №	SI7634BDP-GE3
Категория продукта	МОП-транзистор
Коммерческое обозначение	TrenchFET
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	SI7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	Vishay / Siliconix
Упаковка / блок	PowerPAK-SO-8
Ширина	5.15 mm
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single Quad Drain Triple Source
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	No Lead
Maximum Continuous Drain Current (A)	22.5
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	5.4@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	30
Maximum Gate Source Voltage (V)	±20
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	5000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	8
Pin Count	8
PPAP	No
Process Technology	TrenchFET
Product Category	Power MOSFET
Supplier Package	PowerPAK SO
Typical Fall Time (ns)	12\|8
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	45.5
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	21.5@4.5V\|45.5@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	3150@15V
Typical Rise Time (ns)	12\|10
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	34
Typical Turn-On Delay Time (ns)	30\|12
Вес, г	0.5066