SIHP22N60E-E3, MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 080 руб.
от 10 шт. —
850 руб.
от 25 шт. —
686 руб.
от 100 шт. —
581.05 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 080 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Решения для промышленного электропитанияVishay предлагает один из самых широких в отрасли наборов полупроводниковых и пассивных компонентов для промышленных источников питания. Ассортимент продукции Vishay для промышленных источников питания включает силовые МОП-транзисторы, силовые ИС, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 21 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 227 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 180 mOhms |
| Rise Time: | 27 ns |
| Series: | E |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 66 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 21 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 180@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 600 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 227000 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO |
| Supplier Package | TO-220AB |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 35 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 57 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 57@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1920@100V |
| Typical Rise Time (ns) | 27 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 66 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 18 |
| Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
