SI1403BDL-T1-GE3, MOSFET -20V Vds 12V Vgs SC-70
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
110 руб.
от 10 шт. —
88 руб.
от 100 шт. —
58 руб.
от 500 шт. —
42.93 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 110 руб.
Описание
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор
МОП-транзистор -20V Vds 12V Vgs SC-70
Технические параметры
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Вес, г | 0.0075 |
Техническая документация
Datasheet SI1403BDL-T1-GE3
pdf, 46 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Похожие товары
![2SK2232-VB, Транзистор N-MOSFET 60В 45А 52Вт [TO-220F]](https://static.chipdip.ru/lib/412/DOC005412891.jpg)
![AO4606, Транзистор, N-канал/P-канал, 30В, 6.9/6А, 2Вт, 0.028Ом/0.035Ом [SO-8]](https://static.chipdip.ru/lib/304/DOC005304626.jpg)
![AP4525GEH, Транзистор, N+ P-канал, 40В, 15/-12А, 28/42мОм [TO-252-4L]](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294459.jpg)
