SI7850ADP-T1-GE3
![SI7850ADP-T1-GE3](https://static.chipdip.ru/lib/129/DOC043129093.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
370 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
202 руб.
от 500 шт. —
159.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 370 руб.
Описание
SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs Vishay Semiconductors SI78 N-Channel (D-S) MOSFETs are available in a new low thermal resistance PowerPAK® package with a low 1.07mm profile. These N-Channel (D-S) MOSFETs are PWM optimized, 100% Rg tested, halogen-free, and RoHS compliant. The SI78 MOSFETs are used in DC/DC converters, primary side switches for DC/DC applications, and synchronous rectifiers.
Технические параметры
Brand: | Vishay/Siliconix |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 10 ns |
Forward Transconductance - Min: | 39 S |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | Vishay |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | PowerPAK-SO-8 |
Pd - Power Dissipation: | 35.7 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 11.1 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 19.5 mOhms |
Rise Time: | 21 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 10 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 7 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.8 V |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 273 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 266 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 130 КБ